IRFP460APBF晶体 mos管原装现货

特性

?栅极电荷Qg低，驱动简单

要求

?改进了栅极、雪崩和动态dV/dt

坚固性

?完全表征的电容和雪崩电压

和电流

?规定的有效成本

?材料分类：用于合规性定义

请访问www.vishay.com/doc？99912

笔记

*此数据表提供了有关以下部件的信息

符合RoHS和/或不符合RoHS的零件。对于

例如，带有铅（Pb）终端的零件不符合RoHS标准。

有关详细信息，请参阅本数据表中的信息/表格

应用程序

?开关电源（SMPS）

?不间断电源

?高速电源切换

典型的SMPS拓扑

?全桥

?PFC升压

热阻额定值

参数符号类型。最大单位

与环境RthJA的最大连接-40

表壳至水槽，平面，润滑表面RthCS 0.24-°C/W

至外壳（排水）的最大连接RthJC-0.45

规格TJ=25°C，除非另有说明

参数符号测试条件最小典型值。最大单位

静止的

漏源击穿电压VDS VGS=0 V，ID=250μA 500--V

VDS温度系数ΔVDS/TJ参考25°C，ID=1 mA-0.61-V/°C

栅极-源极阈值电压VGS（th）VDS=VGS，ID=250μA 2.0-4.0 V

栅极-源极泄漏IGSS VGS=±30 V-±100 nA

零栅极电压漏极电流IDSS

VDS=500伏，VGS=0伏--25

μA VDS=400伏，VGS=0伏，TJ=125°C-250

漏源导通状态电阻RDS（导通）VGS=10 V ID=12 A b--0.27Ω

正向跨导gfs VDS=50 V，ID=12 A b 11--S

动态

输入电容Ciss VGS＝0V，

VDS＝25伏，

f=1.0 MHz，见图5

-3100个-

pF

输出电容Coss-480-

反向转移电容Crss-18-

输出

典型特性25°C

MC9S08FL16CBM

STM32F051K8T7

STM32F051K8T6/7

STM32F103VGT6

W25Q64JVSSIQ

STM32F042F6P6

STM32F205ZGT6

ADUM5000ARWZ-RL

TPS61021ADSGR

STM32L151C8T6A

STM32G070RBT6

ISO1540DR

FXOS8700CQR1

TPS22920YZPR

IRFR120NTRPBF

LSM6DSOWTR

TPS61023DRLR

W25Q128JVSIQ

STM32G030K6T6

TPS563209DDCR/T

STM32L431CCT6

GD32F103RBT6

STM32FEBKC6T6A

STM32F411CEU6

STM32F722RET6

STM32F303VET6

GD32F130F8P6TR

TPA3118D2DAPR

TPS65283RGER

TPS563208DDCR

STM32F303RCT6

STM32F070RBT6

TPS2553DBVR

MAX3485ESA+T

GD32F105RCT6

TPS63802DLAR

TLV62130RGTR

TMS320F28335PGFA

LPC1778FBD208

GD32F330CBT6

LPC1788FBD208

PCA82C250T/YM

STM32F415RGT6

STM32F205RET6

STM8S005C6T6/TR

STM32L151RET6

LMV358IDR

LIS3MDLTR

ADXL345BCCZ-RL7

TPS62611YFDR

TPS78230DDCR

GD32F103VBT6

SN65HVD33DR

TLP291GB

TDA8024T/C1

LM22676MRX-ADJ/NOPB

TPS61220DCKR/T

STM32L471RET6

SN65HVD82DR

STM8L151K4T6

STM32F103VET6

GD32F405RGT6

TMS320F28032PAGT

ADM3202ARNZ-REEL

VND7050AJTR

TS3USB221DRCR

ULN2003ADR

TMP102AIDRLR

LSM9DS1TR

STM32F429BIT6

TPS54040DGQR

STM32F207ZET6

SN65HVD888DR

TPS7B6