TPHR6503PL1,LQ

TPHR6503PL1,LQ

制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOP-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 420 A

Rds On-漏源导通电阻: 410 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V

Qg-栅极电荷: 110 nC

最小工作温度: -

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 210 W

通道模式: Enhancement

系列: UMOS IX-H

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: Toshiba

配置: Single

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 12 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 100 ns

典型接通延迟时间: 36 ns

零件号别名: TPHR6503PL1,LQ(M