bychip可替代AP4407GM

bychip可替代_AP4407GM导读

因此PMOS管的阈值电压是负值。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。

在实际应用中，以 增强型NMOS 和 增强型PMOS 为主。 结合下图与上面的内容也能解释为什么实际应用以增强型为主，主要还是电压为0的时候，D极和S极能否导通的问题。所以通常提到NMOS和PMOS指的就是这两种。

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MOS管导通条件：|Vgs| > |Vgs(th)|。MOS管的导通条件 MOS管的开关条件： N沟道：导通时 Vg> Vs,Vgs> Vgs(th)时导通； P沟道：导通时 Vg< Vs,Vgs< Vgs(th)时导通。

VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管进入恒流区：恒流区在输出特性曲线中间的位置，电流ID基本不随VDS变化，ID的大小主要决定于电压VGS，所以叫做恒流区，也叫饱和区，当MOS用来做放大电路时就是工作在恒流区（饱和区）。 注：MOS管输出特性的恒流区（饱和区），相当于三极管的放大区。

这个简单点，包括生产难度，实现成本，实现方式等等。为什么介绍MOS管的文章都以NMOS举例？说白了就是NMOS相对 PMOS 来说：简单点。对于人类发展而言，肯定是从某个事物简单的的部分开始深入研究发展，教学也是相同的道理，从某个简单部分开始更能够让人入门了解一个事物，然后再步步深入。

VGS>VGS(th) ，且VDS < VGS - VGS(th),MOS管进入可变电阻区： 可变电阻区在输出特性的最左边，Id随着Vds的增加而上升，两者基本上是线性关系，所以可以看作是一个线性电阻，当VGS不同电阻的阻值就会不同，所以在该区MOS管相当就是一个由VGS控制的可变电阻。

APM2301CAC-TRL

FDS4435-NL 、2SJ168、2SJ245S、2SJ327-Z-E1-AZ、2SJ355、2SJ356、2SJ668、2SK1273、2SK1470 。

AO4407、AO4407A、AO4409、AO4421、AO4430、AO4435、AO4485、AO4485、AO4606、AO4611。

CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。

这个值要尽可能的小，因为一旦阻值偏大，就会使得功耗变大。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。RDS(on)(漏源电阻) 导通时漏源间的最大阻抗，它决定了MOSFET导通时的消耗功率。 MOS管 导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。

场效应管通过投影 P沟道mos管符号 P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

假设source 和backgate都接地，drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压，就不会形成channel。

文章来源：www.bychip.cn