FCP110N65F 晶体管 MOSFET
日期：2023-8-3类别：会员资讯
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| 选择属性 |
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|---|
| 制造商: | onsemi |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | Through Hole |
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| 封装 / 箱体: | TO-220-3 |
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| 晶体管极性: | N-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 650 V |
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| Id-连续漏极电流: | 35 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 110 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 5 V |
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| Qg-栅极电荷: | 98 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| Pd-功率耗散: | 357 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 商标名: | SuperFET II FRFET |
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| 系列: | FCP110N65F |
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| 封装: | Tube |
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| 商标: | onsemi / Fairchild |
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| 配置: | Single |
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| 下降时间: | 5.7 ns |
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| 正向跨导 - 最小值: | 30 S |
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| 高度: | 16.3 mm |
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| 长度: | 10.67 mm |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 21 ns |
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| 工厂包装数量: | 50 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 1 N-Channel |
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| 典型关闭延迟时间: | 89 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 31 ns |
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| 宽度: | 4.7 mm |
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| 单位重量: | 2 g |
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