VNN7NV04PTR-E MOSFET晶体管
日期：2023-8-5VNN7NV04PTR-E
VNN7NV04PTR-E
VNN7NV04PTR-E
产品属性
类型 | 描述 | 选择 |
|---|---|---|
类别 | ||
制造商 | ||
系列 | ||
包装 | 卷带（TR） 剪切带（CT） Digi-Reel? 得捷定制卷带 | |
产品状态 | 在售 | |
开关类型 | ||
输出数 | 1 | |
比率 - 输入:输出 | ||
输出配置 | 低端 | |
输出类型 | ||
接口 | 开/关 | |
电压 - 负载 | 36V（最大） | |
电压 - 供电 (Vcc/Vdd) | 不需要 | |
电流 - 输出（最大值） | 6A | |
导通电阻（典型值） | 65 毫欧（最大） | |
输入类型 | 非反相 | |
特性 | - | |
故障保护 | 限流（固定），超温，过压 | |
工作温度 | -40°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | ||
供应商器件封装 | SOT-223 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |
以下是它的一些特性：
功率特性：VNN7NV04PTR-E具有低导通电阻和低开关损耗，可提供高效的功率放大和开关性能。
N沟道结构：采用N沟道结构，使其能够在负电压下工作，并且有较低的输入电容和开关延迟。
电压和电流能力：VNN7NV04PTR-E的额定电压为40V，额定电流为7A，可以满足较高功率应用的需求。
低阈值电压：具有低阈值电压，使其能够实现低电平驱动和高电平输出的特性，适用于各种逻辑电平控制电路。
双极性保护：VNN7NV04PTR-E内置了静电保护和瞬态保护，能够在电压快速变化或静电放电等情况下保护设备。
封装类型：VNN7NV04PTR-E采用TO-252封装，便于安装和热设计。
总之，VNN7NV04PTR-E具有低导通电阻、低开关损耗、高电压和电流承受能力等特性，适用于各种功率控制应用，如电源管理、电机控制、电子球asts、LED驱动等。