BQ76200PWR 高侧 N 沟道 FET 驱动器
发布日期:2023-08-06CHG 和 DSG 高侧 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 场效应晶体管 (FET) 驱动器,可控制电池保护快速 FET 导通和关断次数
预充电 P 沟道场效应晶体管 (PFET) 驱动器(用于为显著耗尽的电池组进行限流预充电)
独立的数字使能充/放电控制
所需外部组件最少
基于可扩展外部电容的电荷泵,适用于不同范围内的并行 FET
耐受高压(绝对最高电压为 100V)
使能电池组电压感测的内部开关
支持通用和独立的充/放电路径配置
设计为直接与 bq76940、bq76930 和 bq76920 电池监控器搭配使用
电流消耗:
正常模式:40μA
关断模式:< 10μA(最大值)
应用
电动自行车 (eBike)、电动踏板车 (eScooter) 和电动摩托车 (eMotorcycles)
储能系统和不间断电源 (UPS)
便携式医疗系统
无线基站电池系统
铅酸 (PbA) 备用电池
12V 至 48V 电池组