BQ76200PWR 高侧 N 沟道 FET 驱动器

• CHG 和 DSG 高侧 N 沟道金属氧化物半导体 (NMOS) 场效应晶体管 (FET) 驱动器，可控制电池保护快速 FET 导通和关断次数

• 预充电 P 沟道场效应晶体管 (PFET) 驱动器（用于为显著耗尽的电池组进行限流预充电）

• 独立的数字使能充/放电控制

• 所需外部组件最少

• 基于可扩展外部电容的电荷泵，适用于不同范围内的并行 FET

• 耐受高压（绝对最高电压为 100V）

• 使能电池组电压感测的内部开关

• 支持通用和独立的充/放电路径配置

• 设计为直接与 bq76940、bq76930 和 bq76920 电池监控器搭配使用

• 电流消耗：

• 正常模式：40μA

• 关断模式：< 10μA（最大值）

应用

• 电动自行车 (eBike)、电动踏板车 (eScooter) 和电动摩托车 (eMotorcycles)

• 储能系统和不间断电源 (UPS)

• 便携式医疗系统

• 无线基站电池系统

• 铅酸 (PbA) 备用电池

• 12V 至 48V 电池组