SIS406DN-T1-GE3
日期：2023-9-7摘要：只做原装
| 技術: | Si | |
| 安裝風格: | SMD/SMT | |
| 封裝/外殼: | PowerPAK-1212-8 | |
| 晶體管極性: | N-Channel | |
| 通道數: | 1 Channel | |
| Vds - 漏-源擊穿電壓: | 30 V | |
| Id - C連續漏極電流: | 14 A | |
| Rds On - 漏-源電阻: | 11 mOhms | |
| Vgs - 閘極-源極電壓: | - 25 V, + 25 V | |
| Vgs th - 門源門限電壓 : | 1 V | |
| Qg - 閘極充電: | 28 nC | |
| 最低工作溫度: | - 55 C | |
| 最高工作溫度: | + 150 C | |
| Pd - 功率消耗 : | 3.7 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 公司名稱: | TrenchFET, PowerPAK | |
| 系列: | SIS | |
| 封裝: | Reel | |
| 封裝: | Cut Tape | |
| 封裝: | MouseReel | |
| 品牌: | Vishay / Siliconix | |
| 配置: | Single | |
| 高度: | 1.04 mm | |
| 長度: | 3.3 mm | |
| 產品類型: | MOSFET |