INFINEON/英飞凌原装正品 1EBN1001AE 高压侧或低压侧 栅极驱动器 IC

1.1概述

1EBN1001AE是一款IGBT/MOSFET栅极驱动器升压器

适用于10kW以上的汽车电机驱动器。

1EBN1001AE基于高性能双极技术

旨在取代基于分立器件的缓冲级。因为它

热优化的外露焊盘封装，1EBN1001AE能够

驱动和吸收峰值电流高达15 A。这使得该设备适用

适用于汽车应用中的大多数逆变器系统。

除了基本的栅极驱动功能外，1EBN1001AE还支持高级功能，如主动

钳位（使用外部二极管），反应时间快。主动夹紧功能也可以通过

外部信号。

为了简化有源短路（ASC）的实现，还实现了附加功能

策略，并使设备适用于ASIL D以下的安全相关系统（根据IEC 61508和ISO

26262）。1EBN1001AE可与Infineon的第二代栅极驱动器IC（如

1EDI200xAS“EiceSIL”。

1.2功能概述

1EBN1001AE支持以下功能：

?单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器放大器。

?适用于高达650 V/800A和1200 V/400A的IGBT级。

?峰值电流高达IPK=+/-15A（1.5μs）。

?10 kHz（CLOAD=300nF）下ICONT=2 x 0.75 Arms的连续电流。

?低传播延迟和最小PWM失真。

?单独的开启和关闭信号路径。

?支持快速反应的主动夹紧。

?主动箝位禁用和ASC输入信号。

?支持负关断偏置。

?对EiceSIL功能的最佳支持。

?14引脚PG-DSO-14外露焊盘绿色封装。

?工作环境温度范围为-40°C至125°C。

?汽车合格（根据AEC Q100）。

?适用于符合ASIL D要求的系统（根据IEC 61508和ISO 26262）。