FDG6303N 晶体管 MOSFET
日期：2023-10-11类别：会员资讯
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| 制造商: | onsemi |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | SOT-323-6 |
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| 晶体管极性: | N-Channel |
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| 通道数量: | 2 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 25 V |
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| Id-连续漏极电流: | 500 mA |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 450 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 8 V, + 8 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 650 mV |
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| Qg-栅极电荷: | 2.3 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| Pd-功率耗散: | 300 mW |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 系列: | FDG6303N |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 封装: | MouseReel |
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| 商标: | onsemi / Fairchild |
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| 配置: | Dual |
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| 下降时间: | 8.5 ns |
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| 正向跨导 - 最小值: | 1.45 S |
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| 高度: | 1.1 mm |
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| 长度: | 2 mm |
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| 产品: | MOSFET Small Signals |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 8.5 ns |
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| 工厂包装数量: | 3000 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 2 N-Channel |
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| 类型: | FET |
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| 典型关闭延迟时间: | 17 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 3 ns |
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| 宽度: | 1.25 mm |
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| 零件号别名: | FDG6303N_NL |
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| 单位重量: | 28 mg |
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