NTMT045N065SC1

制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: SiC

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDFN-4

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 650 V

Id-连续漏极电流: 55 A

Rds On-漏源导通电阻: 50 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 22 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.3 V

Qg-栅极电荷: 105 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 187 W

通道模式: Enhancement

系列: NTMT045N065SC1

封装: Reel

封装: Cut Tape

商标: onsemi