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上海长园维安 规格WML14N65F2 中高压MOS管 原厂供货廖小姐13670166496

日期:2023-11-16类别:会员资讯 阅读:670 (来源:互联网)
公司:
深圳市联大实业有限公司
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廖小姐
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摘要:上海长园维安 规格WML14N65F2 中高压MOS管 原厂供货廖小姐13670166496

上海长园维安/深圳市联大电子有限公司(总代理)

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地址:深圳市龙华区民治布龙路荔苑大厦B座1005

长园微安一家国内上市公司,拥有英飞凌的技术,散热好,内阻低,温升好,性价比高的一

款国内最具影响力的MOS原厂

1.通态阻抗小,通态损耗小。

由于SJ-MOSRdson远远低于VDMOS,在系统电源类产品中SJ-MOS的导通损耗必然较之VDMOS要减少的多。其大大提高了系统产品上面的单体MOSFET的导通损耗,提高了系统产品的效率,SJ-MOS的这个优点在大功率、大电流类的电源产品产品上,优势表现的尤为突出。

同等功率规格下封装小,有利于功率密度的提高。

首先,同等电流以及电压规格条件下,SJ-MOS的晶源面积要小于VDMOS工艺的晶源面积,这样作为MOS的厂家,对于同一规格的产品,可以封装出来体积相对较小的产品,有利于电源系统功率密度的提高。其次,由于SJ-MOS的导通损耗的降低从而降低了电源类产品的损耗,因为这些损耗都是以热量的形式散发出去,我们在实际中往往会增加散热器来降低MOS单体的温升,使其保证在合适的温度范围内。由于SJ-MOS可以有效的减少发热量,减小了散热器的体积,对于一些功率稍低的电源,甚至使用SJ-MOS后可以将散热器彻底拿掉。有效的提高了系统电源类产品的功率密度。

栅电荷小,对电路的驱动能力要求降低。

传统VDMOS的栅电荷相对较大,我们在实际应用中经常会遇到由于IC的驱动能力不足造成的温升问题,部分产品在电路设计中为了增加IC的驱动能力,确保MOSFET的快速导通,我们不得不增加推挽或其它类型的驱动电路,从而增加了电路的复杂性。SJ-MOS的栅电容相对比较小,这样就可以降低其对驱动能力的要求,提高了系统产品的可靠性。

2.节电容小,开关速度加快,开关损耗小。

由于SJ-MOS结构的改变,其输出的节电容也有较大的降低,从而降低了其导通及关断过程中的损耗。同时由于SJ-MOS栅电容也有了响应的减小,电容充电时间变短,大大的提高了SJ-MOS的开关速度。对于频率固定的电源来说,可以有效的降低其开通及关断损耗。提高整个电源系统的效率。这一点尤其在频率相对较高的电源上,效果更加明显



WR1117A-50A70R
GDTN2RS5-90
WMO07N60C2
WMO07N65C2
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WMK09N60C2
WMK09N65C2
WML09N65C2
WML09N70C2
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WMF10N65C2
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WMK26N60C2
WML07N65C2
WMK20N65C2
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WML10N70EM  
WMK340N20HG2
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WML26N65SR
WML10N70C4 
WM06N30M
WML18N50C4  
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WMK040N08HGS
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WML06N80M3
WML06N80M3
WMK071N15HG2
WMK071N15HG2
WMK071N15HG2
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WML09N90C2
WML09N90C2
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WMO10N65C4
WMO10N65C4
WML10N65C4
WML10N80M3
WMO11N65SR
WMO11N65SR
WMO11N65SR
WMO11N65SR
WMK115N15HG2
WMK115N15HG2
WMK115N15HG2
WMS119NN10LG2
WMS119N10LG2
WMS119N10LG2
WMS119N10LG2
WMS12P03T1
WMS12P03T1
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WMO14N65C4
WMO14N65C4
WMO14N65C4
WMO14N65C4
WMO14N65C4
WMO14N65C2H
WMO14N65C2H
WML14N65C2
WML14N65C2
WML14N65C2 
WML14N65C4
WML14N65C4
WML14N65C4
WML14N65C4
WML14N65C4
WML14N65C4
WML14N65C4
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WMO14N70C2
WMO14N70C2
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WMO15N65C2
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WMO15N65C4
WMO15N65C4
WMO15N65C4
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WMJ26N60C4
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WMO26N65C4
WML26N65C2 
WML26N65C2 
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WML26N65C4
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WML90R830S
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WML11N80M3
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WMJ26N60C4
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WMP04N100C2
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WML28N50C4
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WML13N80M3
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WMO35P06T1
WMK161N15T2
WMQ30P04T1


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