STW35N60DM2
日期：2023-11-27类别 | ||
制造商 | ||
包装 | 管件 | |
FET 类型 | ||
技术 | ||
漏源电压（Vdss） | 600 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | ||
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 110 毫欧 @ 14A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54 nC @ 10 V | |
Vgs（最大值） | ±25V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2400 pF @ 100 V | |
功率耗散（最大值） | 210W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
安装类型 | 通孔 | |
供应商器件封装 | TO-247-3 | |
封装/外壳 | ||
基本产品编号 |