IPD90P04P405ATMA2 晶体管 MOSFET
日期：2023-12-1类别：会员资讯
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| 制造商: | Infineon |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | DPAK-3 (TO-252-3) |
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| 晶体管极性: | P-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 40 V |
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| Id-连续漏极电流: | 90 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 4.7 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 3 V |
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| Qg-栅极电荷: | 118 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 175 C |
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| Pd-功率耗散: | 125 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 商标: | Infineon Technologies |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 工厂包装数量: | 2500 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 零件号别名: | IPD90P04P4-05 SP002325780 |
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| 单位重量: | 330 mg |
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