SISS27DN-T1-GE3 晶体管 MOSFET
日期：2023-12-4类别：会员资讯
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| 制造商: | Vishay |
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| 产品种类: | MOSFET |
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| RoHS: | 详细信息 |
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| REACH - SVHC: | 详细信息 |
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| 技术: | Si |
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| 安装风格: | SMD/SMT |
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| 封装 / 箱体: | PowerPAK-1212-8 |
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| 晶体管极性: | P-Channel |
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| 通道数量: | 1 Channel |
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| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V |
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| Id-连续漏极电流: | 50 A |
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| Rds On-漏源导通电阻: | 5.6 mOhms |
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| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V |
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| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1 V |
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| Qg-栅极电荷: | 92 nC |
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| 最小工作温度: | - 55 C |
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| 最大工作温度: | + 150 C |
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| Pd-功率耗散: | 57 W |
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| 通道模式: | Enhancement |
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| 商标名: | TrenchFET, PowerPAK |
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| 系列: | SIS |
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| 封装: | Reel |
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| 封装: | Cut Tape |
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| 封装: | MouseReel |
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| 商标: | Vishay Semiconductors |
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| 配置: | Single |
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| 下降时间: | 10 ns |
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| 正向跨导 - 最小值: | 52 S |
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| 产品类型: | MOSFET |
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| 上升时间: | 5 ns |
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| 工厂包装数量: | 3000 |
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| 子类别: | MOSFETs |
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| 晶体管类型: | 1 P-Channel |
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| 典型关闭延迟时间: | 65 ns |
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| 典型接通延迟时间: | 16 ns |
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| 单位重量: | 1 g |
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