RUR040N02TL
日期:2024-4-11摘要:RUR040N02TL
制造商: ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-346-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 10 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 8 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1 W
通道模式: Enhancement
系列: RUR040N02
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 60 ns
正向跨导 - 最小值: 5 S
高度: 0.85 mm
长度: 2.9 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 50 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
宽度: 1.6 mm
零件号别名: RUR040N02
单位重量: 12 mg