SI2318CDS-T1-GE3

制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 5.6 A

Rds On-漏源导通电阻: 42 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 2.9 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.1 W

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

系列: SI2

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Vishay Semiconductors

配置: Single

下降时间: 8 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 20 ns

3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 14 ns

典型接通延迟时间: 7 ns

零件号别名: SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3

单位重量: 8 mg