FGA25N120 

晶体管IGBTNPTTO-3P晶体管类型:绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

集电极直流电流:50A

饱和电压,Vcesat最大:2.5V

功耗,Pd:312W

电压,Vceo:1.2kV

工作温度范围:-55°C到+150°C

封装类型:TO-3P

针脚数:3

SVHC(高度关注物质):NoSVHC(19-Dec-2011)

上升时间:50ns

功率,Pd:312W

功耗:312W

封装类型:TO-3PN

晶体管极性:ñ频道

最大功耗:312W

最大连续电流,Ic:50A

电压,Vces:1.2kV

电流,Ic@Vce饱和:25A

电流,Icm脉冲:75A

表面安装器件:通孔安装

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