SVF7N65F

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[color=#9932CC]SVF7N65F 0755-82732291

7A、650VN沟道增强型场效应管

描述

SVF7N65T/FN沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。

特点

7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V低栅极电荷量低反向传输电容开关速度快提升了dv/dt能力

命名规则

士兰F-Cell工艺VDMOS产品标识额定电流标识,采用1-2位数字；例如:4代表4A,10代表10A,08代表0.8A沟道极性标识，N代表N沟道

封装外形标识例如：T:TO-220;F:TO-220F额定耐压值，采用2位数字例如：60表示600V,65表示650V特殊功能、规格标识，通常省略例如：E表示内置了ESD保护结构

产品规格分类

产品名称SVF7N65TSVF7N65F

封装形式TO-220-3LTO-220F-3L

打印名称SVF7N65TSVF7N65F

材料无铅

包装料管

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SVF7N65F

士兰微（SL)

SD4844P67K65SD4843P67K65-DW(A)SA1117BH-3.3TRSD4841P67K65SVD1N60M

SD4870(NEW)-RLSVD7N60FSVD12N65FSFR16S20TSVD4N65（F）SVD2N60T

SVD10N65FSVD4N60FS20C45KSVD8N60FSVD12N65TSVD7N65AFSVD7N60T

SVD10N60FSVD2N65FSVD5N60FSVD2N60DSVD1N60BSVD4N60DSVF4N65F

SVF2N65FSVF4N60FSVF2N60FSVD2N60MSVD12N60FSVF8N60FSVF4N60F

SVF7N60FSVF7N65FSVD7N60FSVF4N65MSVD12N65FSVD5N60FSVF7N60F

SVD4N65FSVD7N65AFSVF8N60FSVF2N60FSVF10N65FSVD1N60DB-RLSVF4N65F

SVF10N65FSVF12N65FSBD10C100TSVF5N60FSVF7N80FSVF4N80F