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类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 26 毫欧 @ 6.5A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 6.5A
Id 时的 Vgs(th)（最大） 2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 6.1nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 430pF @ 10V
功率 - 最大 2W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90mm 宽)
