XC3S1500-4FGG676I? 显易keji 张小姐：010-51986955
日期：2013-5-7XC3S1500-4FGG676I
从半导体工艺制程看，在EUV光刻尚未到来前，3D FinFET工艺可能是半导体的决战利器。
全球逻辑工艺制程自2000年始，从0.18μm制程一路走来，先是在0.13μm时由铜互连代替铝;接着由英特尔分别于2007年45nm时提出高k/金属栅工艺，2011年22nm时提出3D FinFET工艺，将摩尔定律又延伸了一个10年。
目前，传统的光学光刻工艺将止步于14nm，业界盼望EUV光刻的到来再将半导体制程向7nm或者5nm延伸。但是工艺制程的进步并不单纯由技术因素决定，还决定于器件的性能与成本，以及满足市场需求的时间点等综合因素。
按照英特尔已公布的半导体工艺制程路线图，仍是每两年一个工艺台阶，到2013年年底达到14nm。英特尔重申今年14nm达标没有悬念。
自英特尔2011年首先发表3D FinFET工艺以来，实际上英特尔在2012年6月举行的“2012 Symposium on VLSI Technology”上发布了面向微处理器的22nm工艺FinFET技术，2012年12月则公开了面向移动设备SoC用途对该技术进行优化的成果。
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