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成员包括莱斯大学机械工程系与材料科学系教授JunLou、PulickelAjayan与BorisYakobson，以及橡树岭国家实验室院士WuZhou、研究员Juan-CarlosIdrobo的研究团队，正在试图结合以上三种材料来打造2D电子元件；该团队先前已经完成石墨烯与六角形氮化硼的结合，但二硫化钼生长不易，早期CVD实验所产出的是不实用的细小晶粒。

「二硫化钼材料不像hBN与石墨烯，不容易成核(nucleate)；」亦参与该研究的莱斯大学研究生SinaNajmaei表示：「我们开始发现能藉由在基板上添加人造边缘(artificialedge)，来控制其成核现象(nucleation)，而且现在该种材料在那样的结构之间生长效果较佳。」

莱斯大学教授Lou则表示：「现在我们能长出约100微米(micron)直径的晶体颗粒，其宽度虽然还比人的头发细，但在奈米世界里面已经够大。」

橡树岭国家实验室所制作的二维二硫化钼结构示意图(左)与实验影像(右)—图片由莱斯大学提供

当莱斯大学研究团队能长出上图由橡树岭国家实验室透过像差校正扫描透射电子显微镜看到的二硫化钼晶粒时，研究团队接着量测正规与缺陷结构的能阶(energylevel)，并确认了先前预测的现象，包括沿着二硫化钼晶粒边界运作的传导「线」。

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