MB85RC128PNF-G-TNERE1 铁电内存代理

FUJITSU SEMICONDUCTORDATA SHEETCopyright?2010-2011富士通半导体有限公司所有的权利reserved2011.6Memory FRAM128 K（16 K×8）位I2CMB85RC128■DESCRIPTIONThe MB85RC128是一个FRAM（铁电随机存取记忆体）独立芯片在configurationof16,384字×8位，使用铁电工艺和硅栅CMOS工艺技术的非易失性存储器forforming细胞中MB85RC128采用的两线串行interface.Unlike的SRAM，能够保留，而无需使用一个数据备份battery.The的数据读/写耐力的MB85RC128非易失性存储单元有所改善为MB85RC128使用的是至少1010个循环，执行Flash存储器和E2PROM号码。的MB85RC128中的显着满分后记录到存储器

王小姐
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