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离子注入的能量是由离子的质量和注入深度要求所决定的。H＋，0＋，N＋和F＋都可以作为注入离子，其中应用最广泛的还是H＋。为了避免对有源区有过多的损伤，离子注入的深度一般都略高于量子阱的位置。
图所示的是一个详细的离子注入型VCSEL的剖面示意图。注入型VCSEL通常都是从电极的制作开始，先制作电极的目的是防止在接下来的注入过程中对DBR表面的损伤。然后在出光孔处采用掩模来防止离子的注入，保护光腔。在图2－35所示的结构图中，将原有的金属电极延展并覆盖住出光孔，就构成了金属的注入掩模，只是注入后的金属剥离比较麻烦，因此人们又引入了光掩模的技术，使用相对简单，而且剥离也比较方便，得到了广泛应用。
对载流子进行横向限制，最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构，如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料，通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿法腐蚀中，为了严格控制腐蚀的深度，通常采用较为温和的磷酸溶液作为腐蚀液，并且磷酸对GaAs和A1As的腐蚀没有选择性。按照一定的浓度配比，例如，H3P04：H2O2：H2O＝1∶1∶10，进行各向同性的湿法腐蚀。一般湿法腐蚀的腐蚀深度比较难控制，刻蚀后在柱的底部有凹槽，这限制了器件直径的进一步减小。另外一个缺点就是工艺的可重复性较差，腐蚀液的配比、腐蚀时间和腐蚀温度都会影响到表面的质量。