供应MX25L5121EMC-20G，全新原装公司现货，MX25L5121EMC-20G ，假一罚十，实体公司，诚信经营

MX25L5121EMC-20G ，联系人：廖先生 QQ: 714451819 Tel: 18664341585 86-755-36853282

概述
MX25L5121EMC-20G 是一个CMOS524,288位串行闪存，它被配置为65,536×8的内部。 MX25L512有一个串行外围接口和软件协议，允许操作一个简单的3线总线上。三间巴士信号是一个时钟输入（SCLK），串行数据输入（SI），和串行数据输出（SO）。 SPI访问设备CS＃投入启用。

MX25L512整个芯片上提供连续读操作。
经过编程/擦除命令发出后，自动编程/擦除算法的编程/擦除和验证指定页或部门/块的位置将被执行。执行程序命令页面（256字节）的基础上，擦除命令执行芯片或部门（4K字节）。
容易提供用户接口，包括一个状态寄存器，指示状态的芯片。读状态可发出命令，通过WIPbit编程或擦除操作完成状态检测。当该设备不运行和CS＃高，它被置于待机模式，消耗电流低于10uA DC电流。MX25L512利用MXIC专有的存储单元，存储器的内容即使在100,000编程和擦除周期。

特点
一般
串行外设接口（SPI）兼容 - 模式0和模式3524,288 x 1位结构16平等与4K字节扇区
- 任何部门可以单独擦除单电源操作
- 2.7到3.6伏读取，擦除和编程操作闭锁保护，以从100mA-1V到Vcc1V性能

高性能
- 快速访问时间：85MHz的串行时钟（15PF1TTL负载）和66MHz串行时钟（30PF1TTL负载）
- 快速的程序时间：1.4ms的（typ.）和5ms的（最大）/页（每页256字节）
- 快速擦除时间：60毫秒（典型值）和120毫秒（最大值）/扇区（每扇区4K字节），1秒（typ.）和的2S（最大）/芯片（512KB）低功耗
- 低有效的读电流：12毫安（最大）在85MHz的，图8毫安（最大）在66MHz和4mA（最大）在33MHz
- 低活性编程电流：15MA（最大）
- 低主动擦除电流：15MA（最大）
- 低待机电流：10UA（最大）
- 深度掉电模式微安（典型值）最少100,000次擦除/编程

软件特点
输入数据格式
- 1字节命令代码
块锁定保护
-  BP0?BP1状态位定义的大小的面积，以防止软件中的编程和擦除。自动擦除和自动程序算法
- 自动删除，在选定的部门和验证数据
- 自动验证的方案和通过内部算法，自动倍的数据在选定的页面编程脉冲宽度（任何页面进行编程应该在擦除状态页第一）状态寄存器功能电子识别
-  JEDEC的2个字节的设备ID
-  RES命令，1个字节的设备ID

硬件特性
SCLK输入
- 串行时钟输入
MX25L512
2P / N：PM1214 REV。 1.6，二月17，2009
MX25L512SI输入
- 串行数据输入SO输出
- 串行数据输出WP＃引脚
- 硬件写保护HOLD＃引脚
- 暂停芯片不diselecting芯片封装
- 8引脚SOP（150MIL的）
- 8 USON（2x3mm）