SPB02N60S5

型号：SPB02N60S5
品牌：INFINEON/英飞凌
类型：MOS管
描述：描述 MOSFET N-CH 600V 1.8A TO-263
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表：SPB02N60S5
产品培训模块：CoolMOS™ CP High VOLTAGE MOSFETs Converters
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：CoolMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C；3 欧姆 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：9.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：240pF @ 25V
功率 - 最大 25W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-3
包装 带卷 (TR)
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
数据列表：SPB02N60S5
产品培训模块：CoolMOS™ CP High Voltage MOSFETs Converters
标准包装：1,000
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 单
系列：CoolMOS™
FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：1.8A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：3 欧姆 @ 1.1A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：5.5V @ 80µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：9.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：240pF @ 25V
功率 - 最大 25W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装：PG-TO263-3
数量：80000
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营INFINEON/英飞凌系列产品，公司现货库存热卖SPB02N60S5
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