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理想与可交付结果之比较

虽然集成型方案更受青睐，而且很明显是空间利用率最高的途径，但是，设计人员必须探寻出方法，使用当前市场上有的元件来配合可接受的PCB面积，应用所要求的功能。毫无疑问，这要求使用多种标准IC。安森美半导体生产用于移动应用的多种标准IC，如单芯片D类放大器、LED背光控制器、专用音频管理IC、滤波元件、端口共享、I/O保护及有源电磁干扰(EMI)管理。

设计人员要使用多个标准IC来完成设计，需要极微型的小信号MOSFET和芯片电阻等元件，用于负载开关、芯片外接口(见图1)、电平转换(见图2)及带电平转换的高边负载开关(见图3)等应用。为了获得良好结果，这些元件应当占用极小的PCB面积和尽可能最低的安装高度。

就芯片电阻等无源元件而言，微型化已经造就了在单个元件中结合多个电阻的电阻阵列元件，以及采用极小的0402、0201或01005 SMD封装的分立元件。然而，MOSFET的微型化通常更具挑战；MOSFET的设计参照了几项相互冲突的参数；在物理尺寸小、能进行快速高能效开关的元件中，难于实现低导通电阻及将开关应用的能耗降至最低。为了实现这些参数的高质量组合，元件必须拥有小裸片尺寸，并带有高单元密度及低电容和低闸极电荷。

移动设备用MOSFET的微型化

通常情况下，有多种设计手段可行。功率MOSFET设计人员倾向于使用超结(super junction)、深沟槽(deep trench)或其它先进的沟槽技术来提供低导通电阻及高压能力和小裸片尺寸。在小信号MOSFET中，如那些用于在移动设备中采用2.5 V或1.8 V低电压工作的负载开关及接口的小信号MOSFET，必须追寻其它技术来减小封装尺寸和每个裸片尺寸的导通电阻。事实上，每个裸片尺寸的导通电阻是主导用于负载开关型应用的MOSFET的真正关键的评判标准。

最新世代小信号MOSFET被设计为提供低阈值电压，规定的闸极驱动电压低至1.5 V，使元件能够提供极低导通电阻，用于采用锂离子电池提供的低电压工作的便携应用。

为了将这些元件能够提供的小裸片尺寸的优势提升至最多，它们提供宽广超小型封装选择来供货，涵盖从尺寸为1.6 x 1.6 x 0.5 mm的SOT-563封装到尺寸为1.0 x 0.6 x 0.4mm SOT-883的封装等。最新的器件，如安森美半导体的N沟道NTNS3193NZ及P沟道NTNS3A91PZ充分利用极纤薄导线架平面网格阵列(XLLGA)亚芯片级封装技术的优势，进一步推进了小信号MOSFET的微型化。