XC5VSX95T-2 XC3S1000-4
日期:2013-12-27XC3S500E-4FGG320C |
XC5VSX95T-2FFG1136 |
XCV1000-4FG680C |
XC2S150-5FG456C |
XC4010E-4PQ208C |
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XC18V02VQ44C |
XCS30-3PQG208C |
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XC3S1000-4FG456C |
XC2S200-5PQ208I |
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XC4010XL-3PQ208C |
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玩的就是创意 一款基于整流管尖峰吸收电路设计
2013-12-26 12:01 文章来源: 电源网 有168人阅读过最近在网上看到很多人都在讨论Flyback的次级侧整流二极管的RC尖峰吸收问题,觉得大家在处理此类尖峰问题上仍过于传统,其实此处用RCD吸收会比用RC吸收效果更好,用RCD吸收,其整流管尖峰电压可以压得更低(合理的参数搭配,可以完全吸收,几乎看不到尖峰电压),而且吸收损耗也更小。
PK
整流二极管电压波形(RC吸收)
整流二极管电压波形(RCD吸收)
从这两张仿真图看来,其吸收效果相当,如不考虑二极管开通时高压降,可以认为吸收已经完全。
此处的RCD吸收设计,可以这样认为:为了吸收振荡尖峰,C应该有足够的容值,已便在吸收尖峰能量后,电容上的电压不会太高,为了平衡电容上的能量,电阻R需将存储在电容C中的漏感能量消耗掉,所以理想的参数搭配,是电阻消耗的能量刚好等于漏感尖峰中的能量(此时电容C端电压刚好等于Uin/N+Uo),因为漏感尖峰能量有很多不确定因素,计算法很难凑效,所以下面介绍一种实验方法来设计。
1.选一个大些的电容(如100nF)做电容C,D选取一个够耐压>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢复二极管(如1N4148;
2.可以选一个较小的电阻10K,1W电阻做吸收的R;
3.逐渐加大负载,并观察电容C端电压与整流管尖峰电压;
如C上电压纹波大于平均值的20%,需加大C值;
如满载时,C端电压高于Uin/N+Uo太多(20%以上,根据整流管耐压而定),说明吸收太弱,需减小电阻R;
如满载时,C上电压低于或等于Uin/N+Uo,说明吸收太强,需加大电阻R;
如满载时C上电压略高于Uin/N+Uo(5%~10%,根据整流管耐压而定),可视为设计参数合理;
在不同输入电压下,再验证参数是否合理,最终选取合适的参数。