分离式半导体 FQP12N60C恒达亿科技特价现货
日期：2014-4-2型号：FQP12N60C
所属类别：分离式半导体
品牌：FSC
封装：TO220
基本参数：
FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650毫欧@ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id) @ 25° C：12A
Id时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF @ 25V
功率-最大：225W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
型号：FQP12N60C所属类别：分离式半导体 品牌：FSC封装：TO220
基本参数：FET型：MOSFET N通道，金属氧化物
FET特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650毫欧@ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id) @ 25° C：12AId时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF @ 25V
功率-最大：225W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件
基本参数：FET型：MOSFET N通道，金属氧化物FET特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：650毫欧@ 6A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：600V
电流-连续漏极(Id) @ 25° C：12AId时的Vgs(th)（最大）：4V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：63nC @ 10V
在Vds时的输入电容(Ciss)：2290pF @ 25V
功率-最大：225W
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 (直引线)
包装：管件