供应IGBT 晶体管：HGTG30N60C3D

制造商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR

RoHS: 详细信息

配置: SINGLE

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.5 V

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

在25 C的连续集电极电流: 63 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 100 nA

功率耗散: 208 W

最大工作温度: + 150 C

封装 / 箱体: TO-247-3

封装: Tube

商标: Fairchild Semiconductor

集电极最大连续电流 Ic: 63 A

最小工作温度: - 40 C

安装风格: Through Hole

系列: HGTG30N60

工厂包装数量: 150

单位重量: 0.225401 oz