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Altera与英特尔（Intel）在先进制程的合作已有初步成果。Altera与晶圆代工合作伙伴英特尔携手宣布，已完成基于英特尔14纳米（nm）三闸极（Tri-Gate）制程技术的现场可编程闸阵列（FPGA）测试芯片，在先进制程竞赛中拔得头筹。
Altera研发资深副总裁Brad Howe表示，这项成果对Altera及客户而言皆系重要的里程碑。透过测试14纳米Tri-Gate制程的硅芯片的重要成分，可让该公司在设计初期验证元件效能，并显着加快14纳米产品上市时间。
据了解，Altera此次发表的Stratix 10 FPGA与系统单芯片（SoC）的测试芯片内建数种关键硅智财（IP），包括收发器（Transceiver）、混合讯号IP及数位逻辑等区块；Altera全面性的芯片测试计划，系利用创新的制程改善与电路设计方法，在最终产品投片（Tape Out）之前，验证Altera IP的运作情形，藉此降低制造风险。
Altera指出，与鳍式电晶体（FinFET）方案相较，英特尔第二代的14纳米Tri-Gate制程提供芯片尺寸缩小的优势，因此，Altera下一代的FPGA及SoC方案皆可实现理想效能、功耗、高整合度及成本优势。
英特尔客制晶圆厂副总裁与总经理Sunit Rikhi指出，自从Altera与英特尔于2013年宣布晶圆代工合作关系后，双方已达成许多重要的里程碑，而此次成果系另一个具代表性的时刻。藉由成功展示Altera利用英特尔14纳米Tri-Gate制程制造的FPGA技术的功能，可实际证明双方团队合作无间。
在英特尔的14纳米Tri-Gate制程以及增强高效能核心架构的助力下，Stratix 10 FPGA和SoC将系业界第一颗GHz等级的FPGA，可提供较现行高阶FPGA方案高两倍的核心效能，对于有严格功耗预算的高效能应用系统，如通讯、军事、广播、运算及储存市场等，Stratix 10系列产品可大幅降低系统功耗，最高可达70%。
事实上，2014年将系各大晶圆代工厂于先进制程竞赛中催紧油门的重要关键。除英特尔已携手Altera率先让14纳米制程产品亮相，台积电也与另一家 FPGA大厂赛灵思（XILINX）密切合作，基于台积电16纳米FinFET制程推出FinFast专案，预计于今年投产。
至于另外两家具备先进制程技术的晶圆代工厂三星（SAMSUNG）与格罗方德（GLOBALFOUNDRIES），则于日前宣布策略合作，三星所开发的 14纳米FinFET制程技术，将授权给GLOBALFOUNDRIES，并将量产地点分散于三星的韩国华城、德州（Texas）奥斯汀（Austin） 晶圆厂及GLOBALFOUNDRIES位于纽约州（New York）萨拉托加（Saratoga）的晶圆厂，藉此确保客户拥有多个生产源头，提供供货保障，而双方计划于2014年年底将14纳米FinFET制程推进至正式量产的进度。