IRF644

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IRF644代理

IRF644中文资料 直线：13316887805 QQ：2501633055 徐小姐

IRF644PBF

IRF644场效应管

MOSFETN通道，金属氧化物

FET功能标准

漏源极电压(Vdss)250V

电流-连续漏极(Id)（25°C时）14A（Tc）

不同Id、Vgs时的RdsOn（最大值）280毫欧@8.4A，10V

不同Id时的Vgs(th)（最大值）4V@250μA

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)68nC@10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)1300pF@25V

功率-最大值125W

封装尺寸TO-220-3

IRF644属于VISHAY的第三代PowerMOSFETs。IRF644为设计者提供了转换快速、坚固耐用、低导通阻抗和高效益的强力组合。TO-220封装的IRF644普遍适用于功耗在50W左右的工商业应用，低热阻和低成本的TO-220封装，使IRF644得到业内的普遍认可。SMD-220封装的IRF644适用于贴片安装，比起现有的任何其他贴片封装，可说是功率最高，导通阻抗最低。IRF644的SMD-220封装可适应高强度电流的应用。有关IRF644代理、IRF644中文资料、IRF644的详细参数：IRF644全新原装正品，有关采购IRF644型号参数，了解IRF644下载、IRF644价格、IRF644厂家图片、IRF644封装及IRF644现货供应信息，欢迎来电咨询!深圳市南北行科技发展有限公司联系人：徐小姐 QQ：2501633055 联系电话：13316887805功能结构图引脚功能描述特色引脚的使用频率(F)引脚的典型应用线电压检测(L)引脚及外部流限(X)引脚的典型应用多功能(M)引脚的典型应用