供应分离式半导体 > 晶体管 > IGBT 模块 >FF200R06KE3
日期：2014-7-12制造商: INFINEON
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 详细信息
产品: IGBT SILICON MODULES
配置: Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V
在25 C的连续集电极电流: 260 A
最大工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: 62 mm
商标: Infineon TECHNOLOGIES
栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
最小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10