Hynix代理商

Hynix代理商|现代代理商|海力士代理商|Hynix现代代理商|Hynix海力士代理商深圳市赛尔通科技有限公司,原装现货，长期供应Hynix全系列产品，价格优势, 照片是我们的产品实拍，因产品过多我们未对一一产品进行参数描述，如需了解更多产品信息和价格欢迎咨询和购买请联系我们的工作人员QQ：87680558 /1852346906 电话：886-0755-82732291/85274662

Hynix代理商|现代代理商|海力士代理商|Hynix现代代理商|Hynix海力士代理商深圳市赛尔通科技有限公司作为韩国【Hynix海力士半导体】在国内的知名Hynix现代代理商，本着“全力服务客户，为客户创造终生价值”原则。努力创造“资源平台的共享、成就客户、成就公司”的美好前景。 SK Hynix公司成立于1983年，公司已以生产和提供像电脑和移动产品等IT设备必需的D - RAM和 NAND闪存为主力产品的企业。在国内1984年最初生产16Kb SRAM以来，持续提供世界最初，最小，最高速，最低电压的内存半导体。占世界第二大内存芯片，同时在世界上最大的半导体市场中国D – RAM部门第一位的。SK Hynix公司不仅在韩国，也在世界 IT产业，占主导地位。SK Hynix的半导体将展开内存的新增长时代 疯狂于智能手机和渴望拥有平板电脑的人日益具增。我们超越了我们想象力的一个新的IT产品将不断涌现。这种新的智能数字设备不断涌现，对内存芯片的需求也越来越多。SK Hynix公司，对‘内存的新增长时代’市场的流动已作出有效的回应。这些努力的结果，2010年的最后卖出了12.1兆韩元，营业3.27兆韩元, 达到创立以来最大的商业利润。SK Hynix公司不仅满足于目前的成就和威信,将与‘内存的新增长时代’同步发展.

HYNIX SDRAM/DDR 系列产品特 点：

•高速度— 1600Mbps的DDR3能迎合需要高速效的数码电视、STB、蓝光播放机和网络设备

•低功耗 —DDR3(1.5V) 的电压比DDR2(1.8V)低，能减低系统的耗电量

•工作温度范围宽 - 最新的Q版本工作温度在-40 to +105；

•高品质 - 由于是国内生产与加工，无形中降低了很多成本。广泛应用于数码类以及消费类电子产品中；

•产线长 - Hynix已拥有全系列的DRAM产品。其中以TSOP-II和FBGA封装的128Mb~256Mb SDRAM、128Mb~512Mb DDR。

HYNIX SDRAM系列规格参数

Part NumberDensityOryBankPackage/SpeedRefresh Power(V)Package

H57V1262GFR128Mb8M*168BanksLC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)754K/64ms 3.3±0.3V60Ball FBGA

H57V1262GTR128Mb8M*164BanksLC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)754K/64ms 3.3±0.3V54pin TSOP(II)

H57V2582GTR256Mb32M*88BanksLC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)754K/64ms 3.3±0.3V54pin TSOP(II)

H57V2562GFR256Mb 16M*16 8BanksLC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)754K/64ms 3.3±0.3V60Ball FBGA

H57V2562GTR256Mb16M*16 8BanksLC(L)50/C(L)60/C(L)70/C(L)754K/64ms 3.3±0.3V54pin TSOP(II)

HYNIX DDR SDRAM系列规格参数

Part NumberDensityOryBankPackage/SpeedRefresh Power(V)Package

H5DU1262GTR128Mb8M*164BanksLC(L)CC/C(L)B34K/64ms 2.5±0.1V66PinTSOPII

H5DU2582GTR256Mb32M*88BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V60BallFBGA

H5DU2562GFR256Mb 16M*16 8BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V60BallFBGA

H5DU2562GTR256Mb16M*16 8BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V66PinTSOPII

H5DU5182EFR512Mb64M*88BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V60BallFBGA

H5DU5182ETR512Mb64M*88BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V66PinTSOPII

H5DU5162EFR512Mb32M*168BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V60BallFBGA

H5DU5162ETR512Mb32M*168BanksLC(L)CC/C(L)B38K/64ms 2.5±0.1V66PinTSOPII

HYNIX DDR2 SDRAM系列规格参数

Part NumberDensityOryBankPackage/SpeedRefresh Power(V)Package

H5PS2562GFR256Mb 16M*168BanksHCF8/E7/F7/E64K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

H5PS5182GFR512Mb64M*88BanksHCE7/F7E6/D5/CC8K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

H5PS5162GFR512Mb32M*168BanksHCF8/E7F7/E68K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

H5PS1G83EFR1Gb128M*88BanksHC(L)F8/E7F7/E68K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

H5PS1G83JFR1Gb128M*88BanksHC(L)F8/E7F7/E68K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

H5PS1G63EFR1Gb64M*168BanksHC(L)E7/F7/E68K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

H5PS1G63JFR1Gb64M*168BanksHC(L)E7F7/E68K/64ms 1.8±0.1V84BallFBGA

HYNIX DDR3 SDRAM系列规格参数

Part NumberDensityOryBankPackage/SpeedRefresh Power(V)Package

H5TQ1G83BFR1Gb 128M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V78BallFBGA

H5TQ1G83DFR1Gb 128M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V96BallFBGA

H5TQ1G63BFR1Gb 64M*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V96BallFBGA

H5TQ1G63DFR2Gb64M*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V78BallFBGA

H5TC2G83BFR2Gb256M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.35±0.075V78BallFBGA

H5TQ2G83BFR2Gb256M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V78BallFBGA

H5TQ2G83DFR2Gb256M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V78BallFBGA

H5TC2G63BFR2Gb128*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.35±0.075V78BallFBGA

H5TQ2G63BFR2Gb128M*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V78BallFBGA

H5TQ2G63DFR2Gb128M*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V78BallFBGA

H5TC4G83MFR4Gb512M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.35±0.075V78BallFBGA

H5TQ4G83MFR4Gb512M*88BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V96BallFBGA

H5TC4G63MFR4Gb256M*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.35±0.075V78BallFBGA

H5TQ4G63MFR4Gb256M*168BanksHC(L)F7/F8/H9/K08K/64ms 1.5±0.075V96BallFBGA

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