SPA08N80C3 英飞凌优势热卖
日期：2014-10-8SPA08N80C3 标准包装 500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列CoolMOS™
包装 管件
FET 类型MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
SPA08N80C3 漏源极电压 (Vdss)800V
电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）8A （Tc）
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）650 毫欧 @ 5.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）3.9V @ 470μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1100pF @ 100V
功率 - 最大值40W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3 整包
供应商器件封装PG-TO220-FP
0755-83997560陈小姐