EPM570T100C5N
日期：2014-11-18
EPM570
EPM570T100C5
EPM570T100C5N
EPM570T100C5N代理
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EPM570T100C5N产品简介
EPM570T100C5N即时在MAX II CPLD®家庭，非易失性是基于0.18μM，6-layer-metal-flash过程，密度从240到2210的逻辑单元（LE）（128至2210的等效宏单元）和8个千位的非易失性存储器。MAXII器件提供高I/O计数，快速高效，可靠的拟合与CPLD的架构。具有multivolt核心，用户闪存（UFM）块，和增强的在系统可编程（ISP），MAXII器件的设计，以降低成本和功率而应用如总线桥接提供可编程解决方案，I/O扩展，上电复位（POR）和顺序控制，和控制装置的配置。
EPM570T100C5N技术参数：
| EPM570T100C5 / EPM570T100C5N 技术参数 | |
| EPM570 | 基本型号 |
| T | 封装为TQFP (1) |
| 100 | 引脚数 |
| C | 应用级别为商业级 (2) |
| 5 | 速度等级 |
| N | 符合无铅标准 |
| EPM570T100C5 / EPM570T100C5N 其他参数 | |
| 编程方式 | ISP |
| 存储器类型 | FLASH |
| MultiVolt core外部电压(VCCINT) | 2.5V, 3.3V (3) |
| 工作温度 | 0℃ ～ 90℃ |
| Delay Time tpd(1) Max | 5.4nS |
EPM570T100C5N特征：
■低成本，低功耗CPLD
■即时的，非易失性建筑
■待机电流低至25μ一
■提供快速的传播延迟和时钟的输出时间
■提供全球四时钟每两个时钟可用逻辑阵列块（实验室）
■UFM块达8千位的非易失性存储器
■multivolt核心使外部电源电压为3.3 V / 2.5 V或1.8 V的装置
■MultiVolt输入/输出接口支持3.3V，2.5 V，1.8伏，和1.5-V逻辑电平
■总线友好的架构包括可编程转换率，驱动强度，总线，和可编程的上拉电阻
■施密特触发器使噪声容限输入（可编程每针）
■I/O是完全兼容的外围组件互连（PCI SIG）的特殊利益集团的PCI局部总线规范2.2修订为3.3V的操作，在66兆赫
■支持热插拔
■建于联合测试行动小组（JTAG）边界扫描测试（BST）电路符合IEEE标准1149.1-1990
EPM570T100C5N引脚功能
| EPM570同系型号基本参数对比 | ||||
| 型号 | LEs | 等效宏单元范围 | 等效宏单位典型值 | fCNT (MHz) |
| EPM240 | 240 | 128 to 240 | 192 | 304 |
| EPM240G | 240 | 128 to 240 | 192 | 304 |
| EPM570 | 570 | 240 to 570 | 440 | 304 |
| EPM570G | 570 | 240 to 570 | 440 | 304 |
| EPM1270 | 1,270 | 570 to 1,270 | 980 | 304 |
| EPM2210 | 2,210 | 1,270 to 2,210 | 1,700 | 304 |
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