IRF7103QTRPBF SOIC-8/3.9MM 功率MOS管 IRF7103 N通道 现货热卖
日期：2014-12-17
品牌：IR
类别：分离式半导体产品
家庭：FET - 阵列
系列：HEXFET®
FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：标准型
漏极至源极电压(Vdss)：50V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：130 毫欧 @ 3A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA
闸电荷(Qg) @ Vgs：15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds：255pF @ 25V
功率 - 最大：2.4W
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SO
包装：Digi-Reel?
其它名称：IRF7103QTRPBFDKR
标准包装：4,000
封装：SOP8
数量：16890
单价：面议
备注：深圳市勤思达科技有限公司主营集成电路 (IC)，公司授权分销IR系列，全新原装，现货库存
长期供应IRF7103Q IRF7103QTRPBF，绝对正品，大量库存，可以出样品，欢迎广大朋友咨询洽谈。
应用：
先进的工艺技术
双N沟道MOSFET
超低导通电阻
175 ° C工作温度
重复性雪崩中允许多达TJMAX
LEAD -FRE
IRF7103QTRPBF 功率MOSFET的一个双SO- 8封装利用最新的处理技术，以实现极低导通电阻每硅片面积。的附加功能这些HEXFET功率MOSFET的是175 ° C的结工作温度，快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些优势结合起来，使这种设计非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。
高效率的SO -8封装提供了增强的热特性和双MOSFET管芯的能力使得它理想中的各种功率应用。这种双重，表面安装SO- 8可显着减少电路板空间，并也可用在磁带&卷轴。