IRF7342TRPBF IRF7342 功率MOSFET 贴片SOP8 双P沟道 全新原装 现货供应

型号：IRF7342TRPBF

品牌：IR

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 阵列

系列：HEXFET®

FET 型：2 个 P 沟道（双）

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：55V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：3.4A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 3.4A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：38nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds：690pF @ 25V

功率 - 最大：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SO

包装：带卷 (TR)

其它名称：IRF7342PBFTR

标准包装：4,000

封装：SOP8

数量：15000

单价：面议

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管，公司授权分销，正品原装 ，品质保证，现货供应IRF7342 IRF7342TRPBF，公司为一般纳税人，可以开17%增值税票，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

描述：

国际整流器第五代HEXFETs利用先进的加工技术，以实现极低的导通电阻每硅片面积。这益处，结合快速开关速度和坚固耐用的设备的设计，HEXFET功率MOSFET是众所周知的，为设计者提供用一个非常有效和可靠的装置，用于使用在各种各样的应用中。

采用SO-8已经通过定制进行了修改引线框架用于增强热性能和多模能力使它成为理想的各种电源应用。有了这些改进，多设备可用于在应用程序中使用显着减少了电路板空间。该软件包是专为气相，红外，或波峰焊技术。大于0.8W的功耗有可能在一个典型的印刷电路板安装的应用程序。

特点：

•第五代技术

•超低导通电阻

•双N沟道MOSFET

•表面贴装

•可在磁带卷&

•动态的dv / dt额定值l快速开关

•LEAD -FREE