IRF7811AT IRF7811ATRPBF SOP8 逻辑电平门 IR全新美国进口 现货库存供应

型号：IRF7811ATRPBF

品牌 ：IR

类别：分离式半导体产品

家庭：FET - 单

系列：HEXFET®

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 特点：逻辑电平门

漏极至源极电压(Vdss)：28V

电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：11A

开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：10 毫欧 @ 11A，10V

Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250μA

闸电荷(Qg) @ Vgs：26nC @ 4.5V

输入电容 (Ciss) @ Vds：1760pF @ 15V

功率 - 最大：2.5W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商设备封装：8-SO

包装：带卷 (TR)

标准包装：4,000

封装：SOP8

数量：16800

单价：面议

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列MOS管，公司现货库存热卖IRF7807 IRF7807TRPBF，正品原装，品质保证，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。

特点：

•N沟道特定应用的MOSFET

理想的CPU内核的DC -DC转换器

低传导损耗

低开关损耗

最大限度地减少并行MOSFET的大电流应用

描述：

这些新器件采用先进的HEXFET®动力MOSFET技术，实现了前所未有的平衡的导通电阻和栅极电荷。所述减小的导电和开关损耗使它们非常适用于高效率的DC- DC转换器供电的最新一代微处理器。

无论是IRF7809A和IRF7811A进行了优化并且100 ％测试是在所有的关键参数同步降压转换器包括研究DS （ ON），栅极电荷并与Cdv / dt的诱导开通免疫力。该IRF7809A报价格外低RDS （ ON）高与Cdv / dt抗扰性的同步FET应用。该IRF7811A提供Q极低组合sw＆放大器; řDS （ ON）为减少在控制FET应用的损失。

该包是专门为气相，红外，对流，或波峰焊技术。动力大于2W耗散可以在一个典型的PCB安装应用程序。