原装驱动器IRS2181 DIP-8封装 IRS2181PBF高速功率MOSFET 1.9A/600V
日期:2015-1-13型号: IRS2181PBF
品牌:IR
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
系列:-
配置:高端和低端,独立
输入类型:非反相
延迟时间:180ns
电流 - 峰:1.9A
配置数:1
输出数:2
高端电压 - 最大(自引导启动):600V
电源电压:10 V ~ 20 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
供应商设备封装:8-DIP
包装:管件
标准包装:50
封装:DIP-8
数量:98600
单价:面议
描述:IRS2181 / IRS21814高电压,高速功率MOSFET和IGBT驱动器具有独立高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技吉斯使坚固耐用的单片建设。逻辑输入的COM兼容与标准CMOS或LSTTL输出,下降至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,最小驱动器跨导。浮置沟道,可以用来驱动一个N沟道功率MOSFET或IGBT在高侧配置其工作频率高达600 V。
备注:深圳市勤思达科技有限公司主营IR系列场效应管,授权分销,大量原装库存,现货热卖IRS2181 IRS2181PBF,欢迎广大客户朋友咨询洽谈。