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    CGHV96100F2

    日期：2015-3-17类别：会员资讯 阅读：475 （来源：互联网）
    公司:
    深圳市硕丰泰科技有限公司
    联系人:
    廖先生/邓小姐/廖小姐（注：只做原装）
    手机:
    15999536391
    电话:
    0755-83010208/82774993
    传真:
    086-0755-82774080
    QQ:
    2881704908 2881704910
    地址:
    深圳市福田区红荔路黄金大厦535-590室

    深圳市硕丰泰科技有限公司只做原装进口货物，欢迎来电咨询：0755-82702381 15018508920邓小姐 更多了解请登录：www.sft-ic.com

    制造商:Cree, Inc.
    产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
    RoHS:详细信息
    晶体管类型:HEMT
    技术:GaN SiC
    频率:7.9 GHz to 9.6 GHz
    增益:12.4 dB
    晶体管极性:N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压:100 V
    Vgs-栅源极击穿电压 :- 10 V to + 2 V
    Id-连续漏极电流:12 A
    输出功率:131 W
    最大漏极/栅极电压:-
    最大工作温度:+ 150 C
    Pd-功率耗散:-
    安装风格:Screw
    封装 / 箱体:440210
    封装:Tray
    应用:-
    商标:Cree, Inc.
    Ciss-输入电容:-
    类:-
    配置:SINGLE
    开发套件:CGHV96100F2-TB
    正向跨导 - 最小值:-
    闸/源截止电压:-
    最小工作温度:- 40 C
    噪声系数:-
    工作温度范围:-
    P1dB:-
    Rds On-漏源导通电阻:-
    Vgs th-栅源极阈值电压:- 3 V

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