IPD12N03LBG

型号：IPD12N03LBG

品牌：INFINEON

PCN Obsolescence：Multiple Devices 04/Jun/2009

类别：分立式导体产品

家庭：FET - 单

系列：OptiMOS™

包装：剪切带 (CT)

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）：30A （Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.6 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 20μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：11nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1300pF @ 15V

功率 - 最大值：52W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：PG-TO252-3

其它名称：IPD12N03LBG

IPD12N03LBGINCT

标准包装：2,500

封装：TO-252

数量：15000

单价：面议

备注：深圳市勤思达科技有限公司主营Infineon系列场效应管（MOS）管，一级分销，全新原装，大量现货库存，长期供应IPD12N03LB IPD12N03LBG，公司为一般纳税人，可以开17%增值税票，欢迎广大客户朋友咨询洽谈。