SPW35N60C3分立半导体产品，深圳市宏世佳电子现货供应
日期：2015-4-22全新原装，公司现货供应
参数：
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压（Vdss） | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 34.6A（Tc） |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 21.9A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 3.9V @ 1.9mA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） | 200nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss） | 4500pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 313W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
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