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东芝提供广泛的二极管产品组合，包括应用于高速信号线路的高速、低损耗肖特基二极管（SBD）和ESD保护二极管。

我们采用碳化硅（SiC）为原料进行制造，因为SiC SBD能提供高击穿电压，这是使用硅（Si）SBD所不能企及的。所以SiC SBD特别适合于低损耗、高效功率转换的应用，比如服务器电源和太阳能功率调节器。

SiC肖特基势垒二极管

功率因素校正电路、光伏逆变器、不间断电源（UPS）

特点1

在正向电流（IF）为4A/mm2和高温区域条件下，SiC SBD产品TRS6E65C的正向电压约比Si FRD产品5JUZ47高出40%。但是，在400V反向电压（VR）的条件下，TRS6E65C比5JUZ47的高温泄漏电流约低97%。

图1：SiC SBD和Si FRD的峰值重复反向电流vs峰值正向电压（T a =150°C）

SiC SBD比Si FRD提供更短的反向恢复时间。

测试条件：VR=400V，IF=6A，di/dt=200A/μs

650 6 TRS6E65C TRS6A65C

8 TRS8E65C TRS8A65C

10 TRS10E65C TRS10A65C

12 TRS12E65C TRS12A65C TRS12N65D

16 TRS16A65C TRS16N65D

20 TRS20N65D

24 TRS24N65D

1200 20 TRS20J120C