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欲着力借此赶超三星。

32层结构已成昨日黄花。同志们，下面请鼓掌欢迎SANDISK.html" target="_blank" title="SANDISK">SANDISK公司已进入实验性生产的48层3D NAND芯片!没错，就是这么回事，肆～拾～捌层高高的!

我们可以将其视为追赶三星公司的一项举措，毕竟后者目前已经开始推出第二代3D V-NAND芯片，其采用三层单元设计。戴尔方面将这些128 Gb晶粒应用到了自己的SC系列存储阵列当中，旨在以前所未有的低廉每GB使用成本水平实现闪存产品的大规模销售。

这款SanDisk芯片拥有256 Gb存储容量，相当于三星的二倍，且同样采用三层单元设计(简称TLC)。目前由代工合作伙伴东芝在其Yokkaichi代工厂负责实验性生产。

与三星的闪存芯片相比，SanDisk的层数为前者的二倍——48层结构相当于将两块2D NAND芯片摞在一起。

SanDisk公司表示其采用的是BiCS设计，且将“带来比传统2D NAND更出色的写入/擦除耐久性、写入速度与能源利用效率。”

这是因为它采用了较当前SanDisk与东芝16纳米芯片更大的光刻尺寸，从而提升了使用寿命水平。

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