TK13A60D

东芝TK13A60D采用先进设备，最先进的单外延工艺制造，DTMOSIV提供了一个减少Ron.A 30％，功德（FOM）的数字的MOSFET，它的前身相比，DTMOSIII。东芝TK13A60D在Ron.A的减少使得可以在同一个包容纳下罗恩芯片。这有助于提高效率和降低电源的尺寸。

东芝公司计划扩大其MOSFET产品组合，以满足客户多样化的需求。 Q＆DTMOSIV阵容

该DTMOSIV-H系列采用了高速开关性能，因此低开关损耗。它提供栅 - 漏电容，的Qgd，比标准的MOSFET系列低大约30％。 Q'的DTMOSIV-H系列的特点

所述DTMOSIV（HSD）系列具有寄生二极管比标准系列的更快。它提供了反向恢复时间比标准系列短70％以上，因此显著降低招致的寄生二极管的恢复损耗。 Q'的DTMOSIV（HSD）系列的特点

O 3 650 V系列O 5更高的击穿电压多亏了600-V版本O的改进？容易让足够的电压容限为电源设计

O 3 600 V O系列？因为减少了罗纳o提高性能？有助于提高各种电源的效率

VDSS = 600 V VDSS = 650 V

VDSS = 600 V VDSS = 650 V

VDSS = 600 V

DTMOSIV型号额定导通电阻恢复时间（trr）

标准系列TK16A60W 600 V / 15.8一0.191最大280纳秒

高速二极管TK16A60W5 600 V / 15.8一0.231最大为100 ns

QG的Qgd

170 NC数控72

QG的Qgd

144 NC数控48

[测试条件：] VDD = 400 V，IDR = 7.9 TC = 25°C

O 2的典型性能特性比较

O 2反向恢复寄生二极管的波形

2 O动态输入/输出特性：中Qg曲线

TK62N60W（标准系列）

T：20 + S / DIV的Qg：20 NC / DIV

VGS：2 V / DIV

QG：约。快20％的Qgd：约。 30％fasterI D：20 A/ DIV

VDS：100 V / DIV

TK62N60X（高速开关系列）

T：20 + S / DIV的Qg：20 NC / DIV

VGS：2 V / DIV

ID：20 A/ DIV

VDS：100 V / DIV

高速开关DTMOSIV系列

标准DTMOSIV系列

DTMOSIV（HSD）系列具有高速二极管

第四代DTMOSIV超级结MOSFET系列

280纳秒为100 ns

ID：10 A/ DIV

T：80 ns /格

TK16A60W（标准系列）

TK16A60W5（高速二极管）