FP75R12KE3

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制造商: INFINEON

产品种类: IGBT 模块

RoHS: 否

产品: IGBT SILICON MODULES

配置: Hex

集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V

集电极—射极饱和电压: 2.15 V

Continuous Collector Current at 25 C: 105 A

栅极—射极漏泄电流: 400 nA

功率耗散: 350 W

最大工作温度: + 125 C

封装 / 箱体: EconoPIM3

栅极/发射极最大电压: +/- 20 V

最小工作温度: - 40 C

安装风格: Screw

Standard Pack Qty: 500