FDP3682
日期：2017-3-10摘要：新到原装现货
| 类别 | 分立半导体产品 | |
|---|---|---|
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | ||
| 制造商 | Fairchild/ON Semiconductor | |
| 系列 | PowerTrench® | |
| 包装 | 管件 | |
| 零件状态 | 在售 | |
| FET 类型 | N 沟道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 6A（Ta），32A（Tc） | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4V @ 250µA | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 28nC @ 10V | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1250pF @ 25V | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| FET 功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 95W（Tc） | |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | 36 毫欧 @ 32A，10V | |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
联系电话：0755-83201583 李建宏