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大量优势库存

2D NAND闪存和3D NAND闪存之间的关系可简单类比为“盖平房”与“盖楼房”。由于平面排列的潜力已达极限，闪存芯片必须利用垂直空间实现立体堆叠，方可进一步扩大容量。目前，各大厂商都在重点发展3D闪存，其堆叠层数越来越多，核心容量也越做越大。然而，转进3D的过程势必影响产能、减少供给，这会使本就捉襟见肘的市场供给再度缩水。

三星在NAND闪存芯片的市场份额达到36%，是闪存业内最强势的厂家。三星3D NAND闪存从32层堆叠开始量产，至目前已达到48层堆叠闪存，核心容量256 GB (TLC)。下半年，三星将在位于韩国的平泽厂投产64层堆叠的NAND闪存。据了解，四代3D 闪存拥有512Gb 核心容量，核心的数据传输速度可达100MB/S，初期将会应用于企业级SSD产品上。

前不久，东芝/西数阵营也发布了自己的64层堆叠的NAND闪存，其核心容量为256 Gb (TLC)，并正朝512 Gb进展。目前，东芝深陷财务减记漩涡，正欲出售存储业务以弥补财务亏空。据最新消息，由于合作伙伴西数的反对，东芝被迫取消出所有关于出售存储业务的商讨和决定。若东芝存储的出售遭到搁置，那么NAND市场的供应面恐受新的打击。

美系的美光/英特尔阵营目前量产的3D闪存芯片为32层堆叠，其核心容量可达到256 Gb (TLC)。据悉，美光/英特尔阵营也将于今年9月之前量产最新的64层堆叠的3D NAND闪存。