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Edinburgh Instruments

日期:2017-6-7类别:会员资讯 阅读:802 (来源:互联网)
公司:
商斯达(香港深圳北京上海西安)有限公司
联系人:
销售部(香港深圳北京上海西安成都武汉等设分公司特价连锁经营)
手机:
13823676822微信同号
电话:
0755-83376489 83778810 83600718
传真:
0755-83376182
QQ:
583757894 1295084882
地址:
深圳市福田福华路鸿图大厦1602室、2005-2006室;:上海市北京东路668号上海賽格电子市场 : 西安高新开发区20所(导航技术研究所)
摘要:Edinburgh Instruments

---爱丁堡仪器红外气体传感器 

Edinburgh Instruments(爱丁堡仪器公司)坐落于美丽的苏格兰首府——爱丁堡。公司下属三个分支机构:红外气体传感器、荧光光谱仪和激光器。在气体探测领域,积累了三十年的丰富经验,为欧洲及全世界的OEM客户和系统集成商,提供了性能稳定、价格便宜的红外气体传感器。
Ø 世界上最早采用电调制光源的厂家;
Ø 拥有自主核心技术,以及不断的研发能力;
Ø 提供性能可靠、长时间稳定的模块化产品;
Ø 与OEM客户、系统集成商保持长期、稳定的合作。
Guardian SP系列气体分析仪
可检测气体:
CO2: 0-1000ppm, 0-3000ppm
CO: 0-3%到0-100%多个浓度范围可选
N2O: 0-1000ppm
产品特点:
■ 采用双波长红外非分光(NDIR)技术,测量精度高
■ 可实时在线自动监测气体浓度,稳定性好,一年只需校准一次
■ 多种信号输出方式,便于集成,符合IS09002标准
应用领域:有毒气体检测、微量CO2气体检测
 
 Guardian Plus系列气体分析仪
可检测气体:
CO2:0-3000ppm到0-100%多浓度范围可选
CH4:0-5%到0-100%多浓度范围可选
产品特点:
■ 采用双波长红外非分光(NDIR)技术,测量精度高
■ 可实时在线自动监测气体浓度,稳定性好,一年只需校准一次
■ 多种信号输出方式,便于集成,符合IS09002标准
应用领域:瓦斯气体检测、沼气/垃圾填埋气发电、CO2气体检测
 
 MYCO2系列气体分析仪
■ 可检测气体:
CO2: 0-2000ppm,0-3000ppm,0-5000ppm
■ 采用双波长红外非分光(NDIR)技术,性
能可靠
■ 0-20mA或4-20mA电流输出
■ 性价比高,适宜工业应用
 

应用领域:   
■ 环境CO2检测
■ 通风控制

 
 GasCheck系列气体传感器模块
可检测气体:
CO2: 0-3000ppm, 0-3%, 0-10%
产品特点:
■ 采用红外非分光(NDIR)技术,测量精度高,性能可靠
■ 扩散式或泵吸式进气方式,结构紧凑
■ 性价比高,适合工业应用
应用领域:工业CO2气体检测、CO2培养箱
 
 GasCard II Plus系列气体传感器模块
可检测气体:
CO2: 0-500ppm到0-5000ppm多浓度范围可选
CO: 0-3%到0-100%多浓度范围可选
CH4: 0-1%
N2O: 0-1000ppm
SO2: 0-3000ppm
产品特点:
■ 采用双波长红外非分光(NDIR)技术,测量精度高,性能可靠
■ 自动温度校正及报警功能
应用领域:烟气在线检测
 
 Gascard II系列气体传感器模块
可检测气体:
CO2: 0-3000ppm到0-100%多种浓度范围可选
CO: 0-100%
HC: 0-2000ppm
CH4: 0-5%到0-100%多种浓度范围可选
C6H14: 0-2000ppm
产品特点:
■ 采用双波长红外非分光(NDIR)技术,测量精度高,性能可靠
■ 自动温度校正及报警功能
应用领域:气体在线检测
 
 IRgaskiT系列 

可检测气体:
CO2: 0-2%到0-30%多个浓度范围可选
HC: 0-100%
 
产品特点:
■ 采用双波长红外气体检测技术,测量精度高,性能可靠
■ 模块化设计,数字信号处理技术,便于与其他外设相连
■ 性价比高,适合工业应用
 
应用领域:CO2培养箱、CO2气体在线检测

 
  

 

  

 

我们公司代理多家国外领先光学元器件及探测器产品,广泛应用于X射线高能检测、工业无损检测、工业CT、小动物CT、行李箱包检测、皮带检测、轮胎检测、钢板测厚、弱光检测、化学发光仪、PET、环境气体检测、XRF等多个领域,其主要国外厂家及产品包括:

    IBSG公司创立于1991年,创始人是几位俄罗斯约费物理技术研究所的主要研究人员。公司致力于开发制造中红外光谱范围的光电器件。目前,IBSG是世界上唯一一家在中红外光谱1600-5000纳米范围内拥有全线中红外光发射二极管和光电二极管的公司。除了拥有宽范围的标准产品我们还可以为不同目的的客户提供定制解决方案。    我公司为IBSG在中国的唯一代理商。
    德国HEIMANN公司为著名的红外探测器制造商,产品包括热释电探测器,热电堆探测器,探测器阵列,应用于红外分析,探测,成像,测温等等。可登录其网站
    我们是HEIMANN联系紧密的中国代理商,可代客户定做各种探测器。
    美国DCS公司有多年的红外CO2模块制造经验,其生产的红外CO2测量模块,价廉物美。我们和DCS有多年的合作经验。是DCS在中国的重要代理商。
    美国VTI公司是专业制造红外气体测量模块的公司,主要有CO2,CO,CH4,NH3和致冷剂模块,公司生产的产品质量非常好,优于英国爱丁堡,价格比之爱丁堡便宜,质量控制非常严格,通过ISO认证,气体模块标定按照NIST 标准, ANSI/IPC-610, level II workmanship 标准。A/D转换都采用16位分辨率。我们和VTI合作多年。可提供定做服务。
    日本FIGARO是世界著名的半导体气体传感器制造商,我们只销售他们代理的日本GS公司的高浓度氧气传感器KE-25和KE-25F3.这个氧气传感器用途非常广泛。在各个行业,分析仪器中均可找应用。我们销售多年,有很好的价格和服务。
    美国S-ET公司是世界著名的紫外LED制造商,是少数几个掌握深紫外LED技术的厂家之一,也是拥有完整的深紫外LED全系列的唯一厂家。
  

 

    

红外光敏电阻系列产品

美国NEP专业生产各种规格高品质硫化铅,硒化铅,铟镓砷红外探测器,广泛用于以下产品:

  • 火焰探测器,锅炉控制等 

  • 气体分析仪,包括工业气体、汽车尾气等 

  • 湿度分析仪 

  • 红外温度测量 

  • 光谱仪 

  • 蛋白质成分分析仪 

我们提供以下产品:

  1. 硫化铅红外光敏电阻系列 (PbS) 

  2. 电子冷却硫化铅红外光敏电阻系列 (TEC PbS) 

  3. 硫化铅红外线阵探测器 (PbS Linear Array) 

  4. 硒化铅红外光敏电阻 (PbSe) 

      

     

选购这些探测器时请同时参考最先进的MEMS脉冲红外光源. 

相应曲线:

硫化铅:

硫化铅响应曲线   硫化铅响应曲线  硫化铅响应曲线 

硒化铅:

硒化铅响应曲线  硒化铅响应曲线  硒化铅响应曲线 

1. 硫化铅光敏电阻系列:

硫化铅探测器图片

电气参数

Test Conditions at 25°C - TypicalA & AMB & BMC & CM
D* (Pk.,600,1) x 1011.5-1.2.5-1.2.5-1.2
Wavelength Cut-off - Microns3.03.02.7
Peak Wavelength Response - Microns2.52.52.2
Time Constant - Microseconds<100100-300>300
Resistance - Megohms.2-2.0.2-2.0.5-10

注:型号中的M为密封封装.

活性区参数

Code
Number
Active AreaBias VoltageTypical  VW-1
Responsivity
Package
Size
InchesmmTypicalMaximum
.25.010.2510201.0x106TO-5 & TO-46
.5.020.520406.0x105TO-5 & TO-46
1.0401501003.0x105TO-5 & TO-46
2.08021002001.5x105TO-5
3.12031503001.0x105TO-5
5.20052505006.0x104TO-8
10.4001050010003.0x104TO-3

机械参数

TO-46

TO-5

TO-46封装尺寸

TO-5封装尺寸

 

TO-8

TO-3

TO-8封装尺寸

TO-3封装尺寸

典型应用电路:

典型应用电路 

2. 电子冷却硫化铅光敏电阻系列

电子冷却硫化铅探测器图片

电气参数

Test Conditions at 25° C -TypicalDD2D21**
D* (Pk.,600,1) x 10111.52.52.8
Wavelength Cut-off - Microns3.13.23.3
Peak Wavelength Response - Microns2.52.52.5
Time Constant - Milliseconds1-2.51-2.51-2.5
Resistance - Megohms.5-10.5-10.5- 5
Operating Temperature - °C-20-30-45
Cooler Power - Volts DC/Amps.8V/1.8A.8V/1.4A2.0V/1.4A

NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and Vacuum LN Dewars also available. Contact us for further details.
**TO-8, TO-66 or TO-3 packages only.

活性区参数

Code
Number
Active AreaBias VoltageTypical VW-1X105
Responsivity
Package
Size
InchesmmTypicalMaximum-20-30-45
1.0401501006.09.013.0TO-5-37-8-66
2.08021002003.04.56.5TO-5-37-8-66
3.12031503002.53.54.5TO-5-37-8-66
5.20052505001.22.03.0TO-8-66
10.400105001000.61.01.5TO-3

机械参数

机械参数

3. 硫化铅线阵,参考价格每套$528。

主要性能:

Array 
  • PbS Array 1-3 microns 
  • PbSe Array 1-5 microns 
  • PbS D* >8 x 1010 Note 
  • PbSe D* >3 x 109 Note 
  • Square or rectangular geometry 
  • Pitch down to 59 microns 
  • Pixels 256 
  • Thermoelectrically cooled 
  • TE Cooler Controller 
  • Operating temp. down to 253K 
  • Optical filters 
  • Low cost 
  • Custom designs 
硫化铅阵列
Multiplexing 
  • DC integrating 
  • Dark current subtraction 
  • Sample rates from 100 Hz to 1.2 MHz 
  • Independent or slave operation 
  • Custom interfaces available 
  • Integration times from 0.05 msec to 0.66 sec. 
System Requirements 
  • ±12 to ±15VDC 
  • TE Cooler 5V @ 2 amps (typical) 

Amplifier Specifications

  • Output voltage range up to ±12V 
  • Output current 2-3 mAmp typical
    and up to 30 mAmp available 
  • Adjustable output gain available 

4. 硒化铅光敏电阻

硒化铅探测器

电气参数

Test Conditions at 25°C - TypicalF & FMFA & FAMFS & FSM
D* (Pk.,1000,1) x 1091.0 - 3.03.0 - 6.0>6.0
Wavelength Cut-off - Microns4.5 - 5.04.5 - 5.04.5 - 5.0
Peak Wavelength Response - Microns3.8 - 4.33.8 - 4.33.8 - 4.3
Time Constant - Microseconds1 - 31 - 31 - 3
Resistance - Megohms.1 - 4.1 - 4.1 - 4

活性区参数

Code
Number
Active AreaBias VoltageTypical VW-1Package
Size
InchesmmTypicalMaximum
1.0401501006,000TO-5 & TO-46
2.08021002003,000TO-5
3.12031503002,000TO-5
5.20052505001,200TO-8
10.400105001000600TO-3

机械参数

TO-46TO-5
TO-46封装TO-5封装
  
TO-8TO-3
TO-8封装TO-3封装

 

5. 电子冷却硒化铅光敏电阻

电气参数

Test Conditions at 25° CGG2G21**GS21**
D* (Pk.,1000,1) x 1010.71.21.52.0
Wavelength Cut-off - Microns5.25.35.45.4
Peak Wavelength Response - Microns4.34.54.64.6
Time Constant - Micro Seconds10152020
Resistance - Megohms.2 - 7.2 - 10.2 - 15.2 - 15
Operating Temperature - °C-20-30-45-45
Cooler Power1.2V/1.8A1.3V/1.6A2.2V/1.2A2.2V/1.2A

NOTE: 3-6 Stage Thermoelectric Coolers and LN2 Dewars available. Please contact us for further details.
**TO-8, TO-66 and TO-3 packages only.

 

活性区参数

Code
Number

Active AreaBias VoltageTypical VW-1
Responsivity
Package
Size
InchesmmTypicalMaximum-20-30-45
1.04015010090001300016000TO-5-37-8-66
2.08021002005000800011000TO-5-37-8-66
3.1203150300300050006500TO-5-37-8-66
5.2005250500200030003500TO-8-66
10.400105001000100015001800TO-3

机械参数

机械图纸

 

6. 硒化铅线阵,参考价格每套$528。

主要性能:

Array 
  • PbS Array 1-3 microns 
  • PbSe Array 1-5 microns 
  • PbS D* >8 x 1010 Note 
  • PbSe D* >3 x 109 Note 
  • Square or rectangular geometry 
  • Pitch down to 59 microns 
  • Pixels 256 
  • Thermoelectrically cooled 
  • TE Cooler Controller 
  • Operating temp. down to 253K 
  • Optical filters 
  • Low cost 
  • Custom designs 
硒化铅线阵
Multiplexing 
  • DC integrating 
  • Dark current subtraction 
  • Sample rates from 100 Hz to 1.2 MHz 
  • Independent or slave operation 
  • Custom interfaces available 
  • Integration times from 0.05 msec to 0.66 sec. 
System Requirements 
  • ±12 to ±15VDC 
  • TE Cooler 5V @ 2 amps (typical) 

Amplifier Specifications

  • Output voltage range up to ±12V 
  • Output current 2-3 mAmp typical
    and up to 30 mAmp available 
  • Adjustable output gain available 

Note: These D* values are for unmultiplexed arrays. D* is affected by sample rates, integration times, etc.

7. InGaAs PIN光电二极管探测器

InGaAs PIN Photodiode Detectors RT 非致冷型 
主要性能: 
  • 低暗电流,低电容,高响应. 
  • Mesa 结构, 无信号时不导电. 
  • 适合于DC - 3GHz, 以及光纤应用. 
Part #Diameter mmResp. A/W @1.3μmResp. A/W @1.55μmDark Current nACutoff Freq. MHzCap. pfShunt Res. MΩPeak D* cm*Hz½/WNEP W/Hz½
I5-.04-46.040.85.90.0753000.69000>1012<10-14
I5-.08-46.080.85.90.102200.97000>1012<10-14
I5-.1-46.100.85.90.15200016000>1012<10-14
I5-.3-46.300.85.90.43505900>1012<10-14
I5-.5-46.500.85.90.720010250>1012<10-13
I5-1-461.00.85.9023010090>1012<10-13
I5-2-52.00.85.908360020>1012<10-13
I5-3-53.00.85.90201.7512009>1012<10-13
I5-5-85.00.85.9030.540002>1012<10-12
I5-10-310.00.85.90100.1514000.5>1012<10-12

  
InGaAs封装InGaAs响应曲线
紫外发光二极管 
深紫外发光二极管 近紫外发光二极管
牙医蓝大功率发光二极管 大功率深紫外发光二极管 
发光二极管驱动  
激光二极管 
气体分析用激光二极管 超辐射激光二极管  
通用激光二极管  激光二极管驱动控制器  
光纤耦合激光二极管激光二极管配件
大功率泵浦激光二极管模块 半导体光学放大器 
红外发光二极管 
大功率红外发光二极管 中红外发光二极管 
发光二极管驱动 近红外发光二极管 
光电探测器 
热电堆探测器 硅光电探测器 
热释电探测器锗光电探测器 
中红外光电探测器InGaAs光电探测器 
紫外探测器  双波段探测器 
CMOS光电二极管阵列TDI 成像器
成像管多路缓冲器
光电倍增管光电二极管
光电晶体管光敏电阻
光子计数模块冷却型CCD传感器
模拟光学隔离器线性扫描成像器
医用传感器紫外光传感器

常用光电传感器/模块资料下载 

红外测温仪/红外热像仪 常用红外温度传感器系列 常用红外温度传感器及资料下载红外温度传感器模块摸组  红外线温度传感器一 红外线温度传感器二 红外线温度传感器 红外线温度传感器 四  红外测温模块一 红外测温模块二 红外测温模块 三 红外测温模块 四 红外热像红外气体分析红外行业应用红外相关配件红外技术资料

  光电开关/光电传感器
 

ST138-139

ST279

ST288A

ST133

 

ST420

ST133

ST150

SS-030

  雷射模组(激光模组)
 国产

2-LMS29A

2-LMS29B

2-LMS29C

2-LM10

2-LM235B-3

2-LM235B-3L

2-LM212-ATLMF-R(3)L

2-ATLMF-R3

 

  
 
 
 
  
 
 
  
 
 
  
 
 
  
 
 
  
 
 
 
 
  
 
 
  
 
带尾纤器件
激光二极管
 
 
激光模组
 
  
      
  
 
双向器件 
 
型号峰值波长(nm)功率(mw)阈值电流(mA)工作电压(V)光谱宽度(nm)上升时间(ns)
PB131513101.551.110.3
PW1.25GBs13101.551.110.3
PW113101.551.110.3
PW13ST131035501.2--
PW85ST85035501.8354.5
PWFSAN15513101.551.11?


 
 
带尾纤边缘发光型LED 
型号中心波长(nm)光谱宽度(nm)光纤耦合功率(mW)封装类型(-)
SugarCubes1270 45 
PE13W0051FCA-0-0-011300608Pigtailed FC/PC Connector
PE13W010ST71-Q-013006015Receptacle ST Style
PE13W015FC11-Q-013006020Receptacle ST Style
PE13W010FC21-Q-013006015Receptacle ST Style
PE13W0151STA-0-0-0113006020Pigtailed FC/PC Connector


 
 
带尾纤激光二极管 
型号波长(nm)最小光纤耦合功率(mw)阈值电流(mA)工作电流(mA)监测光电管电流(mA)
PL63C005100A -0-0-01635150700.5
PL63H003300A -0-0-01635345550.2
PL65T0.8UN11-T-06500.830350.07
PL65Q0.8UN11-T-06500.840500.10
PL65T001100A-0-0-01650130350.07
PL65R005FC14-T-0655525350.1
PL66N0026FCA -0-0-01658245850.05
PL67T0016STA-0-0-01670145700.5
PL66N005100A -0-0-01658545850.05
PL13H1201OOA-0-P-011310 2030 
PL15H1001OOA-0-P-011550 3050 
PL78C0.51FCB-T-0-017850.535450.1
PL78H0037FCD-U-0-017853451400.025
PL78M001FC11-T-0780125400.45
PL78R0012STA-0-0-01785125450.3
PL78T040FC2D-T-078540301000.1
PL85B0023FCA-0-0-0185025300.2
PL83H0103FCA-0-0-018301040800.04
PL98A0038FAA-0-0-0198035800.4
PL13U001100B -R-0-01131016180.1

 

型号波长(nm)最小光纤耦合功率(mw)阈值电流(mA)工作电流(mA)监测光电管电流(mA)
PL13U0.5FC11-S-013100.56180.8
PL13N0021FAA-0-0-011310210200.8
PL15M0011SCA-0-0-011550110300.8
PL15M0.51SCC-R-0-0115500.515300.8
PL15N001FCG-R-0-011550110200.8
PL15N002FC0-0-0-011550210200.8
PL16M001100A-0-0-011615115300.1
PL16M001FC11-S-01615115300.8
PL16M002200A-0-0-011615215300.8
PL16M001SC21-S-011615115300.8
PL16M0.51FAA-0-0-0116150.515300.8
PL16M0.5FC21-S-016150.515300.8
PL16M0.5FC11-S-016150.515300.8
PL15M0.51FAC-R-0-011550110300.8
PL15M0011SAA-0-0-01131016180.8
PL13U0011SAA-0-0-0113100.56180.8
PL13U0.51FAA-0-0-0113100.56180.8


 
 
带尾纤边缘发光型LED 
型号波长(nm)工作电流(mA)光纤类型(-)光纤耦合功率(mW)管脚输出(-)光谱宽度(nm)上升时间(ns)
PSLEDSeries       
PS85K015SC22-Q-085010050/12520D356.0
PS13T030FC12-Q-0131010050/12535D1603.0
PS13L015SC22-Q-0131010050/12520D1603.0
PS13L030300A-0-0-01131010062.5/12535D1603.0
PS86M025FC12-Z-08606050/12545A507.0
PS85K035300A-0-0-0185010062.5/12540D356.0


 
 
带尾纤VCSEL 
型号波长(nm)工作电流(mA)光纤类型(-)光纤耦合功率(mW)管脚输出(-)光谱宽度(nm)上升时间(ns)
PV85A0.53FCA-0-0-01*8503.562.5/1256004 lead0.85100 psec
PV85L0.5FC12-Z-0*8503.550/1256003 lead0.85100 psec
PV85L0.62STD-Z-0-018503.550/125/9006003 lead0.85100 psec
PV85L0.9ST74-Z-08503.562.5/12510003 lead0.85100 psec
PV85W0.53STA-0-0-01*8503.562.5/1256003 lead0.85100 ps

 
 

 

 

InGaAs(铟镓砷)光电探测器(1000-2600nm)

一、铟镓砷PIN管 

型号光敏面积(mm dia)波长范围(nm)
IGA - 0010.11000-1700
IGA - 0030.11000-1700
IGA - 00311000-1700
IGA - 00321000-1700
IGA - 00331000-1700
IGA - 00351000-1700
IGA - 00311000-1700
IGA - 00321000-1700
IGA - 00331000-1700
IGA - 00351000-1700
IGA - 0030.31000-1700
IGA - 00311200-2600
IGA - 00311200-2600
IGA - 00311200-2600
IGA - 00311200-2600
IGA - 00331200-2600

二. 大感光面积铟镓砷探测器 
产品特点: 
  • 光谱响应范围: 900nm-1700nm 
  • 感光面积: 直径1mm、1.5mm、3mm可选 
  • 灵敏度高 
  • 暗噪声低响应速度快 
  • TO-5或TO-18封装 
 
  
型号受光面直径响应灵敏度
1310nm
响应灵敏度
1550nm
分流电阻结电容封装
InGaAS-10001 mm0.9 A/W0.95 A/W30 MΩ 
Vr = 10mV
80 pF Vr=0VTO-18
InGaAS-1500-X1.5 mm0.9 A/W0.95 A/W20 MΩ 
Vr = 10mV
200 pF Vr=0VTO-18
InGaAS-3000-X3 mm0.9 A/W0.95 A/W20 MΩ 
Vr = 10mV
750 pF Vr=0VTO-5

额定参数


 
 
型号存储温度范围工作温度范围焊接温度封装形式
InGaAS-1000-55 to 125 °C -40 to 75 °C260 °CTO-18
InGaAS-1500-X-55 to 125 °C -40 to 75 °C260 °CTO-18
InGaAS-3000-X-55 to 125 °C -40 to 75 °C260 °CTO-5

三. 高速铟镓砷光电二极管

 产品特点:

  • 响应速度快,最高可到9G Hz 
  • 暗电流低存 
  • 带低噪声前置放大器,差分输出 
  • 标准TO系列封装
     
     
  • 动态范围宽 
型号受光面直径间距响应灵敏度 1310nm响应灵敏度 1550nm暗电流结电容反偏电流正向电流带宽崩溃电压
InGaAs-300B1300 μm---0.8 A/W front & back0.85 A/W front & back0.05 nA 
Vr=-5V
8 pF 
Vr=-5V
5 mA max25 mA max100 MHz10V at 1μm
InGaAs-300B1x4300 μm500 μm0.8 A/W front & back0.85 A/W front & back0.05 nA 
Vr=-5V
8 pF Vr=-5V5 mA max25 mA max100 MHz10V at 1μm
InGaAs-300B1x8300 μm500 μm0.8 A/W front & back0.85 A/W front & back0.05 nA 
Vr=-5V
8 pF Vr=-5V5 mA max25 mA max100 MHz 

四. 陶瓷封装型光通信光电二极管 
产品特点: 
  • 带低噪声前置放大器,差分输出 
  • 带宽高,动态范围宽 
  • 暗电流低 
  • +3.3V单电源供电 
  • 陶瓷封装 

 
 
 

 

 

Ge(锗)光电探测器(800-1800nm)
一、常温条件下锗光电探测器 

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

G - 010

1

800-1800

G - 020

2

800-1800

G - 030

3

800-1800

G - 050

5

800-1800

G - 100

10

800-1800

G - 130

13

800-1800

二、制冷型锗光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

G-010-TE2

1

800-1800

G-020-TE2

2

800-1800

G-030-TE2

3

800-1800

G-050-TE2

5

800-1800

G-100-TE2

10

800-1800

G-130-TE2

13

800-1800

InAs(砷化铟)光电探测器(1000-3400nm)
一、常温条件下砷化铟光电探测器 

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

IA - 010

1

1000-3400

IA - 020

2

1000-3400

二、制冷型砷化铟光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

IA-010-TE2/TO8

1

1000-3400

IA-020-TE2/TO8

2

1000-3400


 
PbS(硫化铅)光电探测器(1000-2800nm)
一、常温条件下硫化铅光电探测器 

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

PBS - 010

1

1000-2800

PBS - 020

2

1000-2800

PBS - 030

3

1000-2800

PBS - 050

5

1000-2800

PBS - 060

6

1000-2800

PBS - 100

10

1000-2800

二、制冷型硫化铅光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

PBS - 010 - TE1

1

1000-2800

PBS - 010 –TE2

1

1000-2800

PBS - 020 - TE1

2

1000-2800

PBS - 020 –TE2

2

1000-2800

PBS - 030 - TE1

3

1000-2800

PBS - 030 –TE2

3

1000-2800

PBS - 050 - TE1

5

1000-2800

PBS - 050 –TE2

5

1000-2800

PBS - 060 - TE1

6

1000-2800

PBS - 060 –TE2

6

1000-2800

MCT(碲镉汞)光电探测器(1000-4500nm)
一、常温条件下MCT光电探测器 

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

MCT - 4.5-010

1

1000-4500nm

MCT - 5.0-010

1

1000-4500nm

二、制冷型MCT光电探测器

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

MCT - 4.5-010-TE2

1

1000-4500

MCT - 5.0-010-TE2

1

1000-4500

MCT(碲镉汞)光电探测器(2-20+nm)

碲镉汞光电探测器 

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

MCT10-0025

0.25

2-12+

MCT10-005

0.5

2-12+

MCT10-010

1

2-12+

MCT10-020

2

2-12+

MCT14-0025

0.25

2-15+

MCT14-005

0.5

2-15+

MCT14-010

1

2-15+

MCT14-020

2

2-15+

MCT20-005

0.5

2-20+

MCT20-010

1

2-20+

InSb(锑化铟)光电探测器(1000-5500nm)
锑化铟光电探测器 

型号

尺寸(mm)

波长范围(nm)

IS-0025

1

1000-5500

IS-010

1

1000-5500

IS-020

1

1000-5500

IS-030

1

1000-5500

IS-040

1

1000-5500

IS-050

1

1000-5500

IS-070

1

1000-5500

IS-100

1

1000-5500

荧光检测模块