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大量优势库存

格罗方德

在三星和台积电就10nm制程工艺“大打出手”的时候，格罗方德却决定跳过10nm直取7nm制程。虽然没有对10nm“出手”，但格罗方德在去年推出了12nmFD-SOI工艺，对比16nmFinFET工艺，12nm制程能够将功耗降低50%，性能提升15%，掩膜成本较10nm降低40%。不过根据早前格罗方德透露的信息，全新的12nmFD-SOI工艺在2019年才能投入量产。

虽然制程工艺进步的脚步比不过台积电，但近日一则有关全球首款5nm芯片的消息中，却出现了格罗方德的身影。IBM日前宣布，与三星、格罗方德组成的联盟已经成功开发出业界第一个全新的硅纳米片晶体管，为实现5nm工艺铺平了道路。

另外格罗方德携手成都市成立的合资公司格芯已经展开建设工作，预计将于2018年年初完工。完工后，该晶圆厂将率先投入主流工艺的生产，进而专注于22FDX的制造，预计将于2019年开始实现量产。